在储存技术方面,高密度、大容量硬盘的发展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展,用它制造的磁光盘具有存储容量大,寿命长,可反复无接触擦写的特点。整体刷辊组装后对尼龙刷辊外圆进行整体修整磨光提高刷辊平衡度延长使用周期。如今开发出来的磁光盘,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构,TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58,而TbFeCofFa则可以接近0.8。经过研究发现,低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度。

区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆 厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗,则尚须经过特殊处理。

由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1,要加强化学提纯方法除去这些杂质,然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质(载流子)浓度,一般可达10~10原子/厘米。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。经切头去尾,再利用多次拉晶和切割尾,一直达到所要求的纯度(10原子/厘米),这样纯度的锗(相当于13)所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。
中国的工业,由于长期处于计划经济体制内,发展比较缓慢,对于金银而言,可以说是历史悠久,源远流长了,但在改革开放前,没有纳入国家计划渠道的,直至2002年10月30日上海黄金正式开业,才宣告了计划经济时金银管理条例的失效,而铂族金属工业更是起步晚、技术落后,直到改革开放以后,才有了突飞猛进的发展,但与国际上先进的国家相比较,依然是落在人家后面,因此在中国无论是的投资储备需求,还是实际的应用需求。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线,例如Al、Cu和Ag等已经被广泛的应用和研究。

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